04 Novembro 2014
No dia 24 do mês passado, comentamos sobre a grande quantidade de donos do iPhone 6 Plus de 128 GB que estavam sofrendo com instabilidades. Mais de cem usuários reportaram travamentos e até um loop de reinicializações que não permitia o acesso ao iOS. Alguns indivíduos foram capazes de trocar a unidade com a falha, mas até agora a causa não havia sido confirmada.
Como é o sistema operacional que está desequilibrado, é a plataforma que deve estar defeituosa certo? Errado. Pelo menos não é o que parece. Tudo indica que a Maçã não está utilizando o módulo de memória mais confiável em seu phablet com a maior capacidade de armazenamento, resultando em crashes e lentidões no momento de realizar a leitura dos dados guardados.
Na versão de 128 GB do iPhone 6 Plus, a gigante de Cupertino implementou o denso módulo de memória de célula de nível triplo (TLC) NAND flash. Essa tecnologia com três camadas consegue armazenar uma quantidade muito maior de informações do que a de nível único (SLC) ou múltiplo (MLC), mas é mais volátil e propensa a sofrer com erros. Como o componente é o mais barato dentre eles, a Apple pode ter o escolhido para tornar menor o valor de produção do dispositivo.
O tipo mais comum é o de múltipla camada (MLC), estando presente nos demais modelos de iGadgets e é o mais estável da lista. Embora a Maça esteja realizando a troca da unidade com defeito, especula-se que a "dor de cabeça" pode expandir-se conforme a popularidade do celular. Vamos aguardar pelo desenrolar da história e um possível comunicado oficial por parte da companhia sediada em Cupertino. Só então teremos certeza sobre a causa do loop de reinicialização. Até lá, nos contentaremos com as suposições veiculadas.
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