Atualização (05/12/2022) - EB

Em outubro vimos informações sobre a memória GDDR7 da Samsung que poderia ser lançada até o final de 2022 e hoje a sul-coreana está confirmando que ela será baseada na tecnologia PAM3 (Pulse-Amplitude Modulation), que tornará esta geração ainda mais eficiente em termos energéticos do que a GDDR6.

Segundo a Samsung, a nova geração pode ser até 25% melhor em termos de eficiência energética que utiliza a tecnologia NRZ (Non-Return to Zero).

Além disso, vale lembrar que a Samsung também confirmou que a próxima geração de memórias terá uma largura de banda de até 36 Gbps, o dobro dos 18 Gbps oferecidos pelas GPUs Radeon RX 6000.

As memórias da Samsung devem oferecer velocidades superiores às GPUs da NVIDIA GeForce RTX 30/40 com o padrão GDDR6X desenvolvido pela Micron, que atingem até 23 Gbps com a tecnologia PAM4.

É esperado que as memórias GDDR7 demorem algum tempo até aparecerem em placas gráficas, mas o ganho de desempenho deve ser enorme, visto que as GPUs equipadas com elas devem ter largura de banda de até 1152 GB/s em 256 bits ou ainda 1728 GB/s em 384 bits.

Matéria original (06/10/2022)

Samsung planeja memória GDDR7 com velocidade de 36 Gbps e V-NAND de 1.000 camadas até 2030

A Samsung apresentou novas tecnologias de hardware durante o Tech Day 2022, evento que serve como palco de revelação de inovações que chegarão ao mercado nos próximos anos. Na palestra desta quinta-feira (06), a sul-coreana confirmou o desenvolvimento da próxima geração de memórias para aplicações gráficas, o GDDR7.

Com velocidade prometida de incríveis 36 Gbps — 50% mais rápido que o GDDR6X — esse padrão terá o poder necessário para alimentar as novas aplicações e demandas em centros de dados, computação de alto desempenho (HPC), jogos e casos de uso automotivos.

O GDDR7 terá largura de banda recordista para o segmento, uma vez que poderia utilizar barramento de 384 bits para atingir 1,7 TB/s — um ganho significativo para a transferência de dados entre uma GPU e CPU. Atualmente, o GDDR6X se esforça para superar a marca de 1 TB/s em placas de vídeo comerciais, como a GeForce RTX 4090.

Outra melhoria em que a sul-coreana está trabalhando é o aumento na densidade de suas atuais memórias DDR5. A fabricante planeja introduzir módulos com 32 Gb — 33% mais densa que suas soluções de 24 Gb — permitindo que cada die ofereça capacidade de até 64 GB. Pentes com capacidade de 1 TB já estão em desenvolvimento pela divisão “Electronics”.

Ainda falando em memória de acesso aleatória, a Samsung planeja introduzir RAM LPDDR5X com velocidade de 8,5 Gbps, garantindo que celulares, tablets, notebooks e outros dispositivos que exigem baixo consumo de energia tenham mais desempenho em multitarefa e execução de aplicativos que demandam o máximo do hardware.

Por último e igualmente importante, a gigante asiática falou sobre a memória V-NAND com mais de 1.000 camadas. Enquanto os chips existentes possuem 236 camadas, a fabricante planeja introduzir uma tecnologia que abre espaço para dispositivos de armazenamento cada vez mais compactos e com capacidades ainda maiores.

A Samsung planeja introduzir seus primeiros chips V-NAND com TLC (células de nível triplo, 3 bits por célula) de 1 Tb ainda em 2022. Um dos lançamentos próprios mais recentes da marca é o SSD 990 Pro, que utiliza memória V-NAND com MLC (2 bits por célula) em versões de 1 TB e 2 TB com preços a partir de US$ 179 (cerca de R$ 930).

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