A Samsung confirmou, na terça-feira (09), que está desenvolvendo um novo tipo de memória que promete combinar largura de banda alta, baixo consumo e latência reduzida para uma nova era de dispositivos com processamento local de inteligência artificial. Segundo a empresa, essa e outras tecnologias de semicondutores serão exibidas na CES 2024.

Chamada de Low Latency Wide I/O (LLW), essas memórias teriam largura de banda de 128 GB/s consumindo apenas 1,2 pJ/b (picojoules por bit). A fabricante afirma que esses módulos serão ideais a demanda por resposta ágil de modelos de linguagem grande no próprio dispositivo do usuário, dispensando o processamento em nuvem.

Para comparar, somente é possível alcançar essa capacidade com um módulo DDR5 de 8.000 MT/s em uma interface de 128 bits. Embora a Samsung ainda não divulgue informações sobre o custo da nova tecnologia, é fato que a largura de banda elevada da memória pode ser encontrada somente em dispositivos mais caros atualmente.

Cabe lembrar que a Samsung já padronizou o GDDR6W como um novo tipo de memória que deve ser utilizado para inteligência artificial, aceleradores de computação de alto desempenho e PC, portanto, considerando o foco em baixo consumo da LLW, é possível que essa memória seja empregada em celulares, tablets, notebooks e outros dispositivos da categoria.

Modelos de linguagem grande são o coração de ferramentas de inteligência artificial generativa, como o ChatGPT e o DALL-E. Esses algoritmos utilizam aprendizado profundo para reconhecer, traduzir e gerar textos, imagens, áudio e vídeo.

A empresa ainda não divulgou uma previsão para a disponibilidade do novo tipo de memória, mas é possível que a demanda por hardware preparado para inteligência artificial leve a um ritmo acelerado de desenvolvimento.