A Samsung anunciou, nesta terça-feira (06), que deu início à produção em massa de um novo design de memória DRAM LPDDR5X. Esses módulos, fabricados com litografia de 12 nanômetros, são os mais finos da indústria com capacidades de 12 GB e 16 GB.

Essas memórias são projetadas com foco em smartphones, uma vez que seu design compacto permitirá um melhor fluxo de ar no interior do dispositivo. Os novos chips de memória DRAM LPDDR5X da Samsung são cerca de 9% mais finos e melhoram a resistência ao calor em cerca de 21,2% em relação aos modelos da geração anterior.

A gigante sul-coreana destaca otimizações na placa de circuito impresso e na técnica de aplicação do composto de massa epóxi (EMC)² como algumas das mudanças que permitiram tornar o novo pacote de memória tão fino quanto uma unha — com espessura de apenas 0,65 milímetros — o mais fino entre as memórias existentes acima de 12 GB.

Os novos módulos estão disponíveis em pacotes de 12 GB e 16 GB com 4 camadas de DRAM, mas a empresa também pretende desenvolver módulos de 6 e 8 camadas com 24 GB e 32 GB, que seriam um pouco mais espessas, mas garantiriam um excelente ganho de desempenho aos smartphones e tablets em aplicações de IA.

Inteligência artificial, inclusive, parece ser o foco da Samsung com sua nova linha de memórias DRAM LPDDR5X. A fabricante destaca que as maiores capacidades de memória permitirão que celulares com bom desempenho no processamento de modelos executem funções de IA em seu próprio hardware, sem dependem da nuvem.

A Samsung afirma que fornecerá seus novos módulos de memória DRAM LPDDR5X com apenas 0,65 milímetros de espessura às fabricantes de processadores e dispositivos móveis parceiras. No entanto, a sul-coreana ainda não revela uma previsão de lançamento ou quais serão os primeiros produtos a utilizar a nova tecnologia.