A SK hynix acaba de anunciar a nova geração de memórias RAM do tipo LPDDR5T para celulares que é capaz de alcançar até 9,6 Gbps de velocidade de transferência de dados superando a LPDDR5X da Samsung apresentada em outubro de 2022 que chegava até 8,5 Gbps.

Segundo a SK hynix, a nova RAM LPDDR5T (Low Power Double Data Rate 5 Turbo) é 13% mais rápida que a sua antecessora. Além disso, ela opera numa tensão ultra-baixa de 1,01 a 1,12V definida pelo JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), o que significa que ela também consome menos energia graças ao processo HKMG (High-K Metal Gate) de produção.

O HKMG é um processo que utiliza um material com uma alta constante dielétrica (K) no filme isolante dentro dos transistores DRAM para evitar fuga de correntes e aprimorar a capacitância do chip, o que aumenta a sua eficiência em velocidade e gasto energético.

As fabricantes já estão recebendo amostras da nova RAM LPDDR5T com pacotes multichip de 16 GB que combinam várias memórias em um único que pode processar até 77 GB de dados por segundo ou o equivalente a 15 filmes Full HD em apenas um segundo!

Os planos para a nova memória incluem produção em massa iniciada no segundo semestre de 2023 com a litografia de 1anm, a quarta geração da tecnologia de 10nm. A expectativa é que os novos chips sejam utilizados em smartphones 5G, setores da Inteligência Artificial, realidade aumentada e virtual e aprendizado de máquina.