A Qualcomm deve anunciar a geração Snapdragon 8 Gen 2 com importantes avanços se comparado com seu predecessor, mas para introduzir novas melhorias a empresa pode ter que sacrificar algumas características importantes para os usuários de dispositivos móveis, como a eficiência energética, por exemplo.

Um consumo consciente por parte do chipset estende a autonomia do aparelho e reduz a quantidade de vezes que o telefone é plugado na tomada. No entanto, quando o contrário acontece o resultado que temos é o inverso.

Ao que tudo indica, a empresa pode aumentar o consumo energético de seu próximo chipset topo de linha em prol de um desempenho superior e melhorias no conjunto de inteligência artificial (IA), tecnologia que deve ser consideravelmente aprimorada em anúncios posteriores da Qualcomm e pode ter um upgrade de até 100%.

Segundo Meeco, leaker especializado no segmento de hardware, os núcleos Cortex-X3 da ARM não devem contar com notórias melhorias na demanda energética e podem consumir até 10% mais se comparado com a geração antecessora, isto é, o atual Snapdragon 8 Gen 1.

O aumento no consumo de bateria contrasta com o maior desempenho e clock acima de 3 GHz, mas pode trazer reforçar o defeito de superaquecimento no SoC mesmo que adote o processo de fabricação da gigante TSMC. Essas informações ainda são rumores.

Ainda é cedo para especularmos sobre os aprimoramentos ou possíveis defeitos do Snapdragon 8 Gen 2, mas enquanto o anúncio desse componente não se aproxima podemos antecipar outras informações da Qualcomm.

Conforme amplamente noticiado pelo TudoCelular, a empresa pode antecipar a chegada do Snapdragon 8 Gen 1 Plus de modo a rivalizar com o chipset MediaTek Dimensity 9000, versão que apresentou bons resultados em testes de desempenho e rapidamente tomou os holofotes do mercado internacional de celulares.

Contrariando lançamentos anteriores, a geração atual do processador carro-chefe da fabricante não conseguiu atrair muitos comentários positivos, mas se destacou por trazer à tona novamente um problema que aparentava ter sido solucionado pela Qualcomm no passado: superaquecimento.

De acordo com usuários e especialistas, o SD 8 Gen 1 com litografia de 5 nm da Samsung apresenta um nível de aquecimento acima do normal quando estressado, fator que pode ter contribuído para que a Qualcomm acelerasse as remessas e antecipasse a chegada a variante Plus com processo de fabricação da TSMC.

A qualidade e potência da última geração é inegável, mas se comparado com o antecessor há o surgimento desse defeito relacionado à temperatura do componente. O futuro da linha Snapdragon permanece como incógnita, porém torcemos para que os próximos lançamentos tragam apenas avanços e não retrocessos.

Quais são suas expectativas para os próximos lançamentos da Qualcomm? Conta pra gente, comente!