
Samsung 19 Ago
O comitê do JEDEC, o Conselho Conjunto para Engenharia de Dispositivos de Elétrons americano, responsável por estabelecer normas de padrão de memória, anunciou ter aprovado as especificações das memórias flash UFS 4.0 e UFSHCI 4.0, que dão um salto em relação às tecnologias de armazenamento atuais (UFS 3.0 e 3.1).
No caso, as especificações mostram que as velocidades foram de 2,9 GB/s para 4,2 GB/s, enquanto a tensão de alimentação diminuiu de 3,3 para 2,5 V — prometendo geração de menos calor e menor consumo de energia, o que também deve ajudar em smartphones mais finos.
A versão anterior do padrão Universal Flash Storage (UFS) tinha sido adotada em 2020, mas com poucas mudanças em relação ao que tinha sido estabelecido em 2018. Quatro anos depois, o UFS 4.0 promete romper com isso em termos de velocidade de leitura e gravação.
Além disso, ele permanece compatível com versões anteriores do UFS 3.0 e 3.1, possibilita uma continuidade das arquiteturas. As especificações do UFS 3.1 também foram ligeiramente melhoradas no novo documento "JESD231 File Based Optimization", permitindo que um host acelere o tráfego de leitura com base nas informações do sistema de arquivos fornecidas.
Os desenvolvedores ainda introduziram suporte para uma fila multi-circular e uma interface RMPB aprimorada para aumentar a taxa de transferência e a proteção de dados. Para reduzir os atrasos do sistema, propõe-se habilitar o lançamento de canais de alta velocidade, transmissão de dados fora de ordem e o comando BARRIER. Também foi implementado um histórico de erros de dispositivo estendido com timestamps configuráveis pelo host e o Eye Monitor da M-PHY.
Lembrando que marcas como a Samsung já começaram a produzir a nova geração de memórias no início do mês, e que devem ser destaque no mercado de smartphones em 2023. No caso, o novo módulo de memória entrega até 23,2 Gbps de largura de banda em cada faixa — o dobro se comparado com a geração passada — sendo ideal para aparelhos compatíveis com o 5G e modos de realidade virtual e aumentada.
Embora esse seja um grande avanço, a empresa também revelou que seu UFS 4.0 é capaz de gravar e ler dados em velocidades de 4.200 MB\s e 2.800 MB\s, respectivamente. Esse aprimoramento foi possível graças à tecnologia V-NAND de 7ª Geração, que além de proporcionar melhor performance também melhorou o consumo energético em 46%.
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