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Samsung supera Intel e TSMC ao anunciar seus primeiros chips fabricados a 10nm

18 de novembro de 2015 8

Samsung vem anunciando várias novidades em hardware nos últimos dias. Semana passada a empresa revelou o Exynos 8890, seu novo chipset topo de linha fabricado a 14nm. Hoje mais cedo foi anunciado o BRITECELL, novo sensor da empresa que equipará as câmeras dos flagships da linha Galaxy em 2016. Mas as novidades não param por aí: Samsung acaba de informar o desenvolvimento de memória SRAM fabricadas a 10nm FinFET.

Para quem não conhece, o padrão SRAM (Memória de Acesso Randômico Estática) consegue manter os bytes mesmo sem atualização contínua, perdidos somente após a interrupção da fonte de energia. A memória RAM estática é mais econômica, além de entregar mais performance. Enquanto a memória DRAM (Acesso Randômico Dinâmica) precisa que a informação seja atualizada o tempo todo para que permaneça armazenada. Com isso, esse tipo de RAM gasta mais energia se comparado com a SRAM.

Wafer com chips fabricados a 10nm

Atualmente, memória SRAM é usada como cache em processadores, mas que não vem sendo muito usado em smartphones por ocupar muito espaço, além de encarecer a produção de smartphones. Com essa produção da Samsung a 10nm, a empresa resolve tais problemas: a litografia mais avançada permite chips menores, garantindo mais unidades produzidas por vez. Assim, a implementação de SRAM entre o processador e a memória RAM principal irá garantir grande ganho de desempenho e menor consumo para celulares.

Samsung iniciará a produção das novas memórias no final de 2016. Sendo assim, não espere ver a novidade no Galaxy S7 ou Galaxy Note 6. Ela informou que os primeiros módulos contarão com 128Mbit de memória, sendo suficiente para manter as informações mais importantes armazenadas para que sejam acessadas rapidamente pelo processador. E mais novidades serão reveladas em janeiro durante o evento International Solid-State Circuits Conference.

Enquanto isso, a empresa vai amadurecendo o processo de produção de chips a 10nm para garantir a próxima geração do Exynos com este nível de litografia, o que garantirá um grande desempenho com consumo ainda menor para os smartphones lançados em 2017.


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