A Samsung confirmou, nesta terça-feira (17), que está estudando novas tecnologias de memória que permitem ampliar a densidade de seus módulos de NAND, utilizados para fabricar unidades de armazenamento em estado sólido (SSD).

As informações foram reveladas por Jung-Bae Lee, presidente do departamento de memórias da Samsung Electronics. Segundo ele, a fabricante sul-coreana está em busca de ampliar a densidade dos módulos de NAND para até 1 TB, abrindo portas para um futuro onde as unidades de armazenamento terão capacidade de até 1 petabyte (1.024 TB).

Os módulos de memória da empresa possuem atualmente a capacidade máxima de 512 GB, permitindo que suas unidades de armazenamento voltadas para o segmento corporativo tenham capacidades de dezenas de terabytes.

Ao dobrar a capacidade de armazenamento por módulo e adotar novas técnicas de empacotamento, a fim de comprimir mais componentes em um espaço menor sem afetar seu desempenho, a fabricante pretende ingressar em uma nova era de tecnologias de armazenamento na escala do petabyte, isto é, 1 milhão de gigabytes.

Uma das apostas da empresa para criar SSDs com capacidades cada vez maiores é a nova geração do V-NAND, tecnologia caracterizada pelo empilhamento de módulos de memória. Um exemplo de produto que ostenta essa arquitetura é o SSD 980, recém-lançado no Brasil.

Esses avanços devem servir como base para uma nova era de computação voltada à inteligência artificial, que demanda cada vez mais poder de hardware em supercomputadores que treinam modelos com bancos de dados gigantescos.

Além das memórias NAND, a empresa também está preparando novas técnicas de produção para os módulos de DRAM. “A DRAM de 11 nanômetros, atualmente em desenvolvimento, alcançará o mais alto nível de densidade de memória da indústria”, disse Jung-Bae Lee.

A Samsung deve apresentar seus últimos avanços na indústria de memórias durante a Memory Tech Day de 2023, evento marcado para ocorrer em 20 de outubro, no Vale do Silício.