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Samsung desenvolve RAM DDR5 com 512 GB; nova geração de memórias pode ser 30% mais cara

02 de setembro de 2021 7

Atualização (02/09/2021) - HA

As memórias DDR5 estão se tornando cada vez mais comuns entre as fabricantes e suas novas potências, que devem substituir a presença das DDR4 logo mais, pode ter um custo 30% maior que a geração anterior, de acordo com analistas da TrendForce consultados pelo portal The Elec. Os consumidores porém, só devem sentir esse peso, porém, em 2023, quando o novo padrão deve ser mais difundido pelos PCs do mercado.

A demanda por DDR5 será alta o suficiente para cobrir 10% do mercado total de DRAM no próximo ano. E em 2024, a empresa de pesquisa de mercado Omdia estima que o DDR5 pode representar 43% desse mercado.


A Samsung é a maior fabricante de DRAM do mundo e tem trabalhado em soluções para este mercado, ainda que o que foi anunciado até o momento tenha um foco corporativo maior. Essas peças incluem um módulo de 512 GB com velocidades que chegam a até 7,2 Gbps, o primeiro IC de gerenciamento de energia integrado da indústria para memória em linha dupla DDR5 e um novo chip de RAM que permitirá à empresa acumular até 768 GB de RAM em um único servidor.

Para o mercado de telefonia móvel, a Samsung trabalha na fabricação em 10 nm de uma DRAM LPDDR5 de 16GB, que consta em suas listas de produção desde o ano passado.

E você, o que espera dessa nova geração de memórias? Deixe seu comentário!

Atualização (23/08/2021) - por DT

Anunciados pela primeira vez em maio deste ano, os novos módulos de memória RAM DDR5 da Samsung prometem abalar o mercado com a presença de tecnologias que devem entregar uma boa performance aliada a um sistema de gerenciamento otimizado para reduzir o consumo energético.

Agora, a fabricante sul-coreana revelou que produziu um módulo DDR5 com 512 GB e velocidades que chegam a até 7,2 Gbps (7200 Mbps) a uma voltagem de 1.1V. Não foram divulgadas as latências do hardware. O componente em questão é voltado para notebooks e desktops, além de data centers e servidores corporativos.

As melhorias gerais incluem um desempenho 40% maior, velocidades 2.2x mais rápidas e o dobro da capacidade de memória, tudo isso com 0.92x da voltagem usada nos produtos DDR4. Ainda comparando com a geração de memória anterior, o DDR5 oferece uma eficiência de barramento 18% maior.

Segundo a fabricante, isso é obtido por meio da implementação de um design de DRAM de 8 pilhas que apresenta uma pilha de 8-Hi TSV (Through Silicon Vias). Ela mede 1,0 mm de altura, e há um total de 20 pilhas no módulo de memória que são separadas em dois canais principais.


De acordo com o site Wccftech, a Samsung afirmou ainda que está trabalhando no desenvolvimento de módulos com terabytes de capacidade voltados para servidores.

As memórias RAM DDR5 ainda não estão disponíveis no mercado global para os usuários. A previsão é de que a nova geração comece a chegar as lojas ainda este ano. A empresa sul-coreana acredita que a 5ª geração se estabeleça no mercado como o padrão computacional em meados de 2023 ou 2024.

E aí, está aguardando com ansiedade a chegada das memórias RAM DDR5? Conta pra gente nos comentários logo abaixo!

Avançada na tecnologia e mercado de semicondutores, a Samsung é pioneira em diversas aplicações que sua matéria-prima pode oferecer. Após anunciar os módulos de memória com 512 GB de capacidade, a sul-coreana desenvolveu uma nova tecnologia para aprimorar o desempenho do hardware.

A empresa anunciou, na manhã desta terça-feira (18), os primeiros chips de gerenciamento de energia capazes de reduzir o consumo e aprimorar o desempenho dos novos módulos de memória DDR5 de forma significativa em tempo real.

Os chips serão equipados em cenários corporativos, além de aplicações em PCs domésticos com módulos DDR5.

Os três dispositivos anunciados — S2FPD01, S2FPD02 e S2FPC01 — pouco diferem entre si. Os primeiros modelos citados possuem foco em aplicações para data centers e servidores corporativos que executam processos de analytics, inteligência artificial e outras ferramentas que podem causar o superaquecimento da máquina, para módulos de baixa e alta densidade, respectivamente.

Já o terceiro chip, por sua vez, será aplicado em desktops e notebooks de nível consumidor, reduzindo a geração de calor exacerbada e se tornando 91% mais eficiente em relação ao hardware padrão, conforme especificado pela Samsung em seu newsroom. Todos os modelos foram fabricados no processo de 90 nanômetros.

Os circuitos integrados de gerenciamento de energia (PMICs), anteriormente, eram integrados na placa-mãe do dispositivo e se comunicavam com a DRAM através dos barramentos. Já as soluções da Samsung serão integradas diretamente nos módulos de memória, permitindo respostas mais rápidas devido ao seu driver de portão híbrido de alta eficiência.

Com as vantagens, há um contraponto refletido em seu preço final. Os módulos de memória equipados com esse chip poderão ver um aumento significativo em seu valor, de forma que a preferência pelo padrão tradicional ainda exista no futuro.

Por ora, os preços dessa nova tecnologia não foram revelados pela sul-coreana, mas os PMICs já foram enviados como amostra para alguns consumidores parceiros e deverão chegar ao mercado em breve.


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