Durante o Tech Day 2021, hospedado nesta sexta-feira (19), a Samsung revelou que está iniciando o desenvolvimento da nova geração de memórias — DDR6 e GDDR7. O anúncio é dado pouco após a chegada dos avançados módulos de memória RAM DDR5.

A gigante sul-coreana afirma que as memórias DDR6 oferecerão o dobro da velocidade e largura de banda que as soluções de última geração e, embora ainda não esteja oficialmente registado pelo JEDEC, organização responsável pela padronização do hardware, a fabricante é capaz de fornecer os primeiros detalhes desses equipamentos.

Segundo as informações divulgadas no evento — cujas diretrizes impediam que o público registrasse os momentos das apresentações — as memórias devem entregar velocidades de até 12.800 Mb/s e seu overclock chegaria a 17.000 Mb/s. O padrão deve contar com quatro faixas por módulo — dobro do DDR5 — e suportar até 64 bancos de memória.

Além disso, as memórias de alta performance dedicadas às placas de vídeos também foram comentadas durante a apresentação da Samsung, segundo o ComputerBase. A fabricante cita uma versão aprimorada do padrão GDDR6, chamado de GDDR6+ (Plus), que deve oferecer velocidades em torno de 24 Gb/s, um aumento de 33% em comparação ao GDDR6.

O GDDR7 também está no roteiro de desenvolvimento da sul-coreana. Esse padrão ainda não teve detalhes revelados ou previsão de lançamento, mas é afirmado que entregará velocidades de até 32 Gb/s, isto é, 77% mais velozes que o GDDR6, e terá recurso de correção de erros em tempo real.

A última geração de memórias já está disponível no mercado e é suportado exclusivamente pelos processadores de 12ª geração da Intel. Analistas preveem que esse conjunto de hardware deve ter preço acessível somente nos próximos anos, e a transição completa do DDR4 ao DDR5 deve ocorrer em meados de 2023.