A Samsung Electronics acaba de anunciar um avanço na tecnologia de chips de memória, oficializando os primeiros chips DRAM DDR5 de 32 GB. Esse desenvolvimento sinaliza uma nova era no campo da memórias, preparando o terreno para a criação de módulos de memória de até 1 TB, sem a necessidade de interconexões complexas conhecidas como "Through Silicon Via" (TSV) e eliminando a abordagem empilhada (3D) convencional.

Outras empresas, como a Micron e a SKHynix, também trabalham em chips de 32 GB, mas a Samsung saiu na frente ao trazer ao mercado essa capacidade. A sul-coreana se destaca ao oferecer soluções que podem criar módulos de memória de 128 GB sem a necessidade de processos TSV, representando um aumento significativo na capacidade de armazenamento.

A nova DRAM da Samsung, fabricada usando um avançado processo de 12 nm, oferece maior capacidade e eficiência energética. Segundo a própria marca, os módulos de 128 GB fabricados com esses chips podem reduzir o consumo de energia em aproximadamente 10%, sendo especialmente útil em data centers.

Em paralelo, a marca sul-coreana apresentou recentemente as primeiras DRAM de 128 GB do mundo com suporte ao Compute Express Link 2.0, bem como as primeiras memórias GDDR7, que devem alimentar as futuras placas de vídeo e consoles de próxima geração.

Para termos de comparação, a Samsung ainda destacou que a capacidade de suas memórias aumentou em 500 mil vezes desde a criação de sua primeira DRAM de 64 kilobytes em 1983.