Os boatos de que a Samsung estaria envolvida nos processos de produção do novíssimo chipset da Qualcomm provaram-se verdadeiros, ainda na quinta-feira desta semana, 14 de janeiro. Usando seu site oficial e global, a companhia sediada na Coreia do Sul confirmou que está produzindo o Snapdragon 820, componente que deve ser o mandante no mercado elitizado de telefonia móvel, bem com as tecnologias de fabricação que estão sendo utilizadas para dar vida ao mais recente produto da empresa estadunidense de peças mobile, famosa por ser a marca mais presente em celulares modernos. Trata-se do método FinFET de segunda geração, contando com litografia de 14 nanômetros para melhor eficiência de uso.

A segunda geração da tecnologia FinFET, além de contar com a litografia avançada citada anteriormente, é feita pelo processo LPP (Low-Power Plus), capaz de otimizar a utilização do chipset para que o mesmo possa executar tarefas árduas, mas gastando o menor nível de energia elétrica possível. É válido ressaltar que a primeira geração deste processo já apresentou resultados excelentes, levando em conta que o Exynos 7 foi considerado o melhor chipset atuante em 2015, superando o próprio rival pela Qualcomm, Snapdragon 810. Portanto, a concorrente decidiu que era hora de firmar uma parceria com a empresa asiática, resultando, consequentemente, na produção do Snapdragon 820 pelas próprias mãos da gigante sul-coreana. Ainda assim, como é natural, a série Exynos 8, a nova investida da Sammy no setor de placas lógicas para celulares de ponta, também começou a ser fabricada, usando o mesmo processo mencionado acima.

Nós temos o prazer de iniciar a produção de nosso líder da indústria, o processo FinFET de segunda geração em 14 nanômetros, que entrega o mais alto nível de desempenho e eficiência energética. Samsung irá continuar a oferecer processos derivados de sua avançada tecnologia FinFET de 14 nanômetros para manter nossa liderança na tecnologia — diz Charlie Bae, Vice-presidente executivo de Vendas & Marketing da Samsung Electronics, provando tamanha qualidade do novíssimo processo criado pela marca oriental.

A incorporação da estrutura FinFET tridimensional (3D) permite que haja uma melhora considerável na performance, em contraste com uma redução notável da utilização da carga da bateria, unindo o útil ao agradável para resultar em uma das melhores soluções em chipsets já criada. O novo processo de 14 nanômetros da Samsung entrega até 15% a mais de velocidade, enquanto reduz em até 15% o consumo de energia elétrica, isto comparado com a primeira geração FinFET, de mesma litografia da atual, porém com a versão antiga do Low-Power, a Early (LPE). A tecnologia estará disponível publicamente na primeira metade desde ano de 2016, provavelmente dando as caras na MWC (Mobile World Congress) 2016, um dos maiores eventos de telefonia móvel realizados no mundo, datado para a última semana de fevereiro, já no próximo mês.