26 Abril 2017
Em parceria com a IBM, a Samsung anunciou o desenvolvimento de um novo módulo não-volátil de RAM que, além de não se deteriorar com o tempo, chega a ser até 100 mil vezes mais rápido do que a memória NAND flash usada atualmente nos smartphones.
Chamada de MRAM (RAM magneto-resistiva), ela será produzida com uso da tecnologia STT (spin-transter torque), que permitirá a criação de módulos de baixa capacidade para uso em chips de vários gadgets, incluindo dispositivos móveis, IoT e wearables.
Além do boost na velocidade, a MRAM consumirá muito menos energia do que os módulos NAND Flash quando armazenando informações — e quanto não estiver sendo utilizada de forma ativa, ela não consumirá nada, pois ela não é volátil, ao contrário ao hardware atual.
Os novos módulos serão apresentados dia 24 de maio em um evento no Foundry Forum, onde a sul-coreana nos dará ainda mais detalhes sobre essa nova tecnologia.
Durante o evento poderemos conhecer um protótipo de SoC (system on a chip) que já traz a MRAM integrada, então fiquem antenados por aqui para receber mais detalhes dentro de algumas semanas.
É gratificante contemplar o futuro acontecendo diante dos nossos próprios olhos, não é verdade? ;-)
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