Quando avaliamos as especificações técnicas de um smartphone, não é comum explorarmos os detalhes do tipo de memória de armazenamento. Normalmente apenas analisamos a capacidade de armazenamento da mesma. E a velocidade de leitura e gravação da memória interna, não será também uma característica importante nos smartphones?

Pensando neste tipo de inovação, a Samsung anunciou recentemente a produção em massa da nova memória Ultra Flash Storage 2.0 que é três vezes mais rápida que a memória atual eMMC. Atualmente a maioria dos smartphones usam este tipo de implementação que consiste em traços gerais num estilo de “cartão de memória” integrado dentro do próprio equipamento que tem as memórias flash, mas também o respectivo controlador.

Apesar do eMMC ser rápido, a Samsung quis dar um passo à frente e trazer com o Galaxy S6 uma nova experiência ao entregar um sistema muito mais rápido. De acordo com a empresa sul-coreana, a nova memória Ultra Flash Storage 2.0 permite que os dispositivos móveis iniciem mais rápido, gravem e leiam informações mais rapidamente, melhorem os processos de multitasking, etc. Para se ter uma ideia da rapidez, esta nova tecnologia tem um desempenho 28 vezes maior que os tradicionais cartões microSD.

A Samsung garante que a novidade consegue passar de 300MB/s em taxa de leitura e 150MB/s em taxa de escrita. Mas será que realmente teremos todo esse avanço no Galaxy S6? Confira abaixo um teste de benchmark realizado com o novo flagship e também os dois modelos topo de linha da empresa lançados em 2014, o Galaxy S5 e Galaxy Note 4, e confira se a evolução é tão grande quanto a sul-coreana alega.

Leitura e escrita sequencial (MB/s)

No primeiro teste podemos notar que um avanço grandioso quando comparamos as duas últimas gerações do Galaxy S. Em leitura sequencial tivemos um aumento de 175MB/s para 314MB/s, quase o dobro do desempenho. Já em escrita sequencial a diferença foi ainda maior, partindo de 24MB/s no S5 para incríveis 139MB no S6. A nova memória chega a oferecer um ganho de quase 500%!

O avanço também é significativo quando comparado ao Galaxy Note 4, mostrando que em menos de 6 meses a Samsung realmente aprimorou o seu hardware para trazer um produto ainda mais rápido. Aqui tivemos um ganho de 83MB/s em leitura e 41MB/s em escrita.

Leitura e escrita aleatória (MB/s)

Aqui é onde geralmente os smartphones deixar a desejar. Leitura aleatória é o quesito mais importante na hora de definir a velocidade com que o sistema abrirá os seus aplicativos. O Galaxy S5 possui uma velocidade de leitura de apenas 13MB/s enquanto o S6 parte para 77MB/s, mostrando um avanço incrível. Isso fica ainda mais evidente quando comparamos ao Galaxy Note 4 que possui taxa de leitura de apenas 21MB/s.

A taxa de escrita é igualmente importante. Quanto mais rápida a memória for neste aspecto, mais rápido os seus dados serão salvos no sistema. Aqui, a nova memória da Samsung mostra um avanço estrondoso, indo de meros 2MB/s no S5 para incríveis 19MB/s no S6. Aqui a diferença também é notável com relação ao Galaxy Note 4 que apresentou apenas 3MB/s. Em acesso aleatório, a nova memória da Samsung chega a oferecer um ganho impressionante de 850%!

Como dito anteriormente, a Samsung havia prometido mais de 300MB/s de taxa de leitura com mais de 150MB/s de taxa de escrita com esta nova memória. Ela realmente cumpriu sua promessa, onde o Galaxy S6 consegue ler dados do sistema a uma incrível velocidade de 314MB/s. A taxa de escrita chega bem próximo do prometido, com 139MB/s, mostrando que realmente tivemos uma evolução este ano.

• O Samsung Galaxy S6 edge ainda não está disponível nas lojas brasileiras. Para ser notificado quando ele chegar clique aqui.
• O Samsung Galaxy S6 ainda não está disponível nas lojas brasileiras. Para ser notificado quando ele chegar clique aqui.