O Galaxy Note 8 ainda nem foi oficializado pela Samsung e não param de surgir rumores sobre o Galaxy S9. Tudo indica que a próxima geração do flagship da Samsung poderá estrear um novo processo de fabricação para oferecer um grande salto em desempenho ao mesmo tempo que reduz o consumo de energia.

De acordo com informações do The Investor, Samsung está preparando a nova geração do seu chipset Exynos com fabricação em 8 nm para o início de 2018, o que deixa claro que este SoC será estreado com o Galaxy S9.

Não apenas isso, mas a fonte confirma que também veremos uma variante com hardware da Qualcomm, que não será fabricado pela Samsung desta vez. O Snapdragon 845 adotará a nova litografia de 7 nm da TSMC, maior rival da Samsung em produção de chips.

Desta forma, podemos esperar uma diferença em autonomia de bateria entre ambos os modelos, já que a versão norte-americana com hardware da Qualcomm teria uma vantagem energética por adotar um processo de fabricação mais refinado.

De acordo com a fonte, Samsung não investirá na litografia de 7 nm, deixando seu investimento para o processo mais refinado a 6 nm, que deve estrear no início de 2019. Com isso a sul-coreana ficaria em desvantagem contra a TSMC por um ano, mas acabaria recuperando a vantagem até 2020, quando a TSMC deverá iniciar a produção de chips em 6 nm.