A Qualcomm oficializou nesta quinta-feira (17) o novo chipset Snapdragon 835, que deverá equipar smartphones tops de linha ainda no primeiro semestre de 2017. Construído com tecnologia de 10 nm pela Samsung, o componente promete mais potência ocupando menos espaço do que a geração anterior. Além disso, é o primeiro com recarga rápida Quick Charge 4.0.

Ainda não foram divulgadas especificações do novo chip, como número de núcleos ou frequência. Porém, uma coisa é certa: a tecnologia de recarga rápida não alcança a especulada potência de 28W. A Qualcomm preferiu seguir o padrão universal do USB-C, com potência de 18W, mas promete uma série de vantagens internas para aproveitar melhor a entrada de energia.

Segundo a fabricante, o segredo está no ajuste de temperatura para garantir a maior amperagem possível para cada tipo de bateria de smartphones. Com isso, o Quick Charge poderia ser, teoricamente, melhor do que a recarga rápida padrão oferecida pelo USB Tipo-C 3.0.

Samsung x Qualcomm

A Samsung é mais uma vez a fabricante dos chips da Qualcomm, dessa vez com tecnologia de 10 nm. Mas, se rumor recente estiver correto, a parceria entre as duas empresas pode estar sendo intensificada. Segundo o blogueiro russo Eldar Murtazin, conhecido pelas previsões certeiras, a gigante coreana está envolvida não só na produção, mas na criação do Snapdragon 835.

A novidade não foi confirmada por nenhuma das duas empresas, mas não chegaria a ser surpresa. E o motivo seria o domínio da empresa sobre a técnica de 10 nm, que permite processadores mais potentes e econômicos energeticamente. E a dona da linha Snapdragon pode ter aproveitado a especialidade da parceira para criar o projeto do Snapdragon 835 do zero.

Por que chips de 10 nm são melhores?

Quando se fala em nanômetros de um chip, refere-se à distância entre os terminais dos transistores na parte interna do componente. Um processador Snapdragon 821, portanto, tem bilhões de transistores distantes somente 14 nm entre si. Na próxima geração, eles terão apenas 10 nm de divisão, permitindo encaixar muito mais terminais no mesmo espaço.

Para ter ideia do quão pequena essa distância é, basta imaginar que uma folha de papel comum tem, em média, 100 nm de espessura. O chip Snapdragon 835 tem transistores separados a distâncias 10 vezes menor.